Microchip Jan2N718A

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

1.8 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

35

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

500 mA

DC Current Gain hFE Max

120

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

30 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/181

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

500 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

连续集电极电流

500 mA

产品类别

Bipolar Transistors - BJT