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'jan2n7227'
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 附加功能 | HTS代码 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | Vgs（最大值） | 极性/通道类型 | 连续放电电流(ID) | JEDEC-95代码 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级（Eas） | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | ||||||||||||||||||
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 | JAN2N7227 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 3 | SILICON | JAN2N7227 | 无 | Obsolete | MICROSEMI CORP | TO-254AA | FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 | 5.19 | 14 A | 1 | 150 °C | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | SQUARE | FLANGE MOUNT | 未说明 | 无 | HIGH RELIABILITY | 8541.29.00.95 | SINGLE | PIN/PEG | 未说明 | unknown | 3 | MIL-19500 | S-CSFM-P3 | Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | ISOLATED | SWITCHING | N-CHANNEL | TO-254AA | 14 A | 0.415 Ω | 56 A | 400 V | 700 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 150 W | ||||||||||||||||||||||||||||
 | JAN2N7227 | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 通孔 | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) | 3 | SILICON | 14A Tc | 10V | 1 | 4W Ta 150W Tc | 4V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Bulk | 1997 | Military, MIL-PRF-19500/592 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | HIGH RELIABILITY | 8541.29.00.95 | SINGLE | PIN/PEG | MIL-19500 | Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | ISOLATED | N-Channel | SWITCHING | 415m Ω @ 14A, 10V | 110nC @ 10V | 400V | ±20V | 14A | 20V | 0.415Ohm | 56A | 400V | 700 mJ | 无 | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N7227U | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 3 | 3 | SILICON | CHIP CARRIER, R-XBCC-N3 | CHIP CARRIER | UNSPECIFIED | 无 | RECTANGULAR | 1 | Obsolete | MICROSEMI CORP | 5.21 | TO-276AB | 14 A | ACH580-BDR-046A-2+EFJK51 | ABB | BOTTOM | 无铅 | MIL-19500 | R-XBCC-N3 | Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-CHANNEL | TO-276AB | 0.415 Ω | 400 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JAN2N7227U | Microsemi Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-267AB | 3 | SILICON | 14A Tc | 10V | 1 | 4W Ta 150W Tc | 4V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Bulk | 1997 | Military, MIL-PRF-19500/592 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 3 | BOTTOM | MIL-19500 | Qualified | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | N-Channel | 415m Ω @ 14A, 10V | 110nC @ 10V | 400V | ±20V | 14A | TO-276AB | 20V | 0.415Ohm | 400V | 无 | Non-RoHS Compliant |
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