Microchip Jan2N7371

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

底架

通孔

供应商器件包装

TO-254

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JAN2N7371

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-254AA

Package Description

FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3

Risk Rank

5.25

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

SQUARE

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 mA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Saturation Voltage

3 V

RoHS

Non-Compliant

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/623

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

端子位置

SINGLE

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/623B

JESD-30代码

S-MSFM-P3

资历状况

Qualified

极性

PNP

配置

DARLINGTON

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

100 W

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100 V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 6A, 3V

最大集极截止电流

1mA

JEDEC-95代码

TO-254AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 120mA, 12A

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

12 A

最小直流增益（hFE）

150

集电极-发射器电压-最大值

100 V

辐射硬化

无