JAN2N918UB详情
Microchip JAN2N918UB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
面板安装
包装/外壳
3-SMD, Non-Standard
表面安装
YES
越来越多的功能
Flange
触点形状
Circular
外壳材料
Aluminum
插入材料
Thermoplastic
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bag
Base Product Number
DTS20G15
Contact Sizes
20
厂商
TE Connectivity Deutsch 连接器
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Current-Collector (Ic) (Max)
50 mA
Package Description
SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Package Style
小概要
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JAN2N918UB
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.18
操作温度
-65°C ~ 200°C
系列
MIL-DTL-38999 Series III, DTS
包装
Waffle
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
连接器类型
插座外壳
类型
用于公引脚
定位的数量
19
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.21.00.95
紧固类型
Threaded
子类别
Transistors
触点类型
Crimp
技术
Si
端子位置
DUAL
方向
E
终端形式
无铅
屏蔽/屏蔽
Shielded
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
入口保护
抗环境干扰
Reach合规守则
compliant
外壳完成
化学镍
引脚数量
3
参考标准
MIL-19500/301H
外壳尺寸-插入
15-19
JESD-30代码
R-CDSO-N3
资历状况
Qualified
房屋颜色
Silver
配置
SINGLE
注意
不包括触点
外壳尺寸,MIL
-
功率 - 最大
200 mW
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 3mA, 1V
最大集极截止电流
1µA (ICBO)
包括
-
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
15 V
频率转换
-
集电极电流-最大值(IC)
0.05 A
集电极-发射器电压-最大值
15 V
最高频段
超高频段
集电极-基极电容-最大值
3 pF
特征
-
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
材料可燃性等级
-
JAN2N918UB拓展信息
Microchip Technology
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