Microchip JAN2N930

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

引脚数

3

供应商器件包装

TO-18

Transistor Polarity

NPN

Emitter-Base Voltage

6(V)

Package Type

TO-18

Collector-Base Voltage

60(V)

Category

双极小信号

Operating Temp Range

-55C to 200C

Collector Current (DC)

0.03(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

150

Mounting

通孔

Schedule B

8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45 V

RoHS

Non-Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30 mA

Base Product Number

2N930

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

300 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Maximum DC Collector Current

30 mA

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

45 V

包装

Bag

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/253

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

300 mW

技术

Si

引脚数量

3

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

600

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

300 mW

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45 V

最大集电极电流

30 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10µA, 5V

最大集极截止电流

2nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 500µA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

45 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

连续集电极电流

30

辐射硬化

无