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'jans1n4119dur1'

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对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

安装类型

包装/外壳

供应商器件包装

厂商

操作温度

包装

系列

尺寸/尺寸

容差

JESD-609代码

终止次数

温度系数

电阻

端子表面处理

组成

功率(瓦特)

子类别

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

终端样式

失败率

配置

二极管类型

反向泄漏电流@ Vr

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

功率 - 最大

测试电流

电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

产品类别

电压允差

齐纳电流

特征

Vf-正向电压

产品类别

直径

座位高度(最大)

长度

JANS1N4119DUR-1
JANS1N4119DUR-1
Microchip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

Axial

Axial

Vishay Dale

活跃

VPT组件

5.71

Bulk

RWR74

活跃

200 Ohms

0.001411 oz

1

SMD/SMT

Microchip

Microchip / Microsemi

N

JANS1N4119DUR-1

-55°C ~ 250°C

Waffle

Military, MIL-PRF-39007, RWR74N

0.312 Dia x 0.875 L (7.92mm x 22.23mm)

±1%

2

±30ppm/°C

53.6 Ohms

Wirewound

5W

Diodes & Rectifiers

compliant

SMD/SMT

M (1%)

泽纳电极

10 nA @ 21.3 V

1.1 V @ 200 mA

500 mW

28 V

齐纳二极管

Military, Moisture Resistant, Non-Inductive

齐纳二极管

1.7 mm

-

3.7 mm

JANS1N4119DUR-1/TR
JANS1N4119DUR-1/TR
Microchip Technology 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

DO-213AA (Glass)

DO-213AA

活跃

200 Ohms

0.01 uA

200 Ohms

0.01 uA

0.5 W

+ 175 C

0.001411 oz

- 65 C

1

微芯片技术

SMD/SMT

Microchip

Microchip / Microsemi

200 mA

28 V

N

0.095 %/C

未说明

无

JANS1N4119DUR-1/TR

活跃

MICROSEMI CORP

5.79

Tape & Reel (TR)

-65°C ~ 175°C (TJ)

Military, MIL-PRF-19500/435

±1%

e0

Tin/Lead (Sn/Pb)

Diodes & Rectifiers

未说明

compliant

Single

泽纳电极

10 nA @ 21.3 V

1.1 V @ 200 mA

500 mW

250 uA

28 V

齐纳二极管

1 %

14 mA

1.1 V

齐纳二极管

1.7 mm

3.71 mm