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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥795.531121
10
¥750.50106
100
¥708.019867
500
¥667.943276
1000
¥630.135163
JANS1N5551US详情
Microchip JANS1N5551US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, B
底架
表面贴装
引脚数
2
供应商器件包装
B, SQ-MELF
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Manufacturer Part Number
JANS1N5551US
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Package Description
GLASS PACKAGE-2
Risk Rank
1.99
Number of Elements
1
Package Body Material
GLASS
Package Shape
ROUND
Package Style
长式
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Schedule B
8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080
RoHS
Non-Compliant
系列
Military, MIL-PRF-19500/420
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
应用
POWER
HTS代码
8541.10.00.80
技术
Standard
端子位置
END
终端形式
环绕
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/420G
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
元素配置
Single
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
接收电极
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 9 A
箱体转运
ISOLATED
正向电流
5 A
工作温度 - 结点
-65°C ~ 175°C
输出电流-最大值
3 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
400 V
平均整流电流(Io)
3A
正向电压
1.2 V
相位的数量
1
反向恢复时间
2 µs
峰值反向电流
1 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
400 V
电容@Vr, F
-
峰值非恢复性浪涌电流
100 A
最大非代表Pk前进电流
100 A
反向恢复时间(trr)
2 µs
辐射硬化
无
JANS1N5551US拓展信息
Microchip Technology
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