Microchip JANS1N5615US

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

触点镀层

Lead, Tin

底架

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

A, SQ-MELF

Package

Strip

厂商

SiTime

Product Status

活跃

Schedule B

8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/85

RoHS

Compliant

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SiT8208

包装

Waffle

尺寸/尺寸

0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

类型

XO (Standard)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

Standard

电压 - 供电

3.3V

频率

38 MHz

频率稳定性

±20ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

终端样式

SMD/SMT

功能

Enable/Disable

基本谐振器

MEMS

最大电流源

33mA

元素配置

Single

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.6 V @ 3 A

扩频带宽

-

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

200 V

平均整流电流（Io）

1A

正向电压

1.6 V

产品类别

Rectifiers

反向恢复时间

150

峰值反向电流

500 nA

最大重复反向电压(Vrrm)

200 V

电容@Vr, F

-

峰值非恢复性浪涌电流

30 A

二极管配置

Single

绝对牵引范围 (APR)

-

重复峰值反向电压

200

反向恢复时间(trr)

150 ns

产品

Rectifiers

产品类别

Rectifiers

座位高度(最大)

0.031 (0.80mm)

宽度

2.62 mm

高度

2.62 mm

长度

5.08 mm

辐射硬化

无

评级结果

-