Microchip JANS1N6103AUS

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, B

表面安装

YES

供应商器件包装

B, SQ-MELF

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Supplier Package

E-MELF

Mounting

表面贴装

Direction Type

Bi-Directional

Peak Pulse Power Dissipation

500 W

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.019013 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package Description

O-LELF-R2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANS1N6103AUS

Power Dissipation (Max)

2 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.33

Part Package Code

MELF

Usage Level

Military grade

操作温度

-55 to 175 °C

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

包装

Waffle

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/516

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

Qualified

极性

BIDIRECTIONAL

配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

7.13V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

44.6A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

11.2V

电压 - 反向断态（典型值）

5.7V

测试电流

175 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

5.7 V

电容@频率

-

筛选水平

Military

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

击穿电压-最小值

7.13 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes