Microchip JANS1N6109A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

B, Axial

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

B, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Schedule B

8541100080, 8541210040/8541210040/8541210040/8541210040/8541210040

Reverse Stand-off Voltage

9.9 V

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANS1N6109A

Power Dissipation (Max)

2 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.41

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/516

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

12.35V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

27.5A

最大反向漏电电流

20 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

18.2V

箝位电压

18.2 V

电压 - 反向断态（典型值）

9.9V

峰值脉冲电流

27.5 A

峰值脉冲功率

500 W

方向

双向

测试电流

100 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

9.9 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

500 W

击穿电压-最小值

12.35 V

最小击穿电压

12.35 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes