Microchip JANS1N6112A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

B, Axial

底架

通孔

引脚数

2

供应商器件包装

B, Axial

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.026455 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Reverse Stand-off Voltage

13.7 V

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

包装

Tray

类型

Zener

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

终端样式

Axial

元素配置

Single

电源线保护

无

电压 - 击穿

17.1V

功率 - 脉冲峰值

500W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

19.9A

最大反向漏电电流

1 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

25.1V

箝位电压

25.1 V

电压 - 反向断态（典型值）

13.7V

峰值脉冲电流

19.9 A

峰值脉冲功率

500 W

方向

双向

测试电流

65 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

电容@频率

-

最小击穿电压

17.1 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

辐射硬化

无