JANS1N6124详情
Microchip JANS1N6124重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, B
供应商器件包装
B, SQ-MELF
Supplier Package
LCC
Mounting
表面贴装
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Breakdown Voltage / V
53.2 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Ipp - Peak Pulse Current
6.5 A
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
操作温度
-40 to 85 °C
系列
Military, MIL-PRF-19500/516
包装
Tray
类型
LTE-FDD/LTE-TDD/HSPA+/UMTS/EDGE/GPRS/GSM Module
应用
通用型
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
额定电流
1 uA
引脚数量
87
终端样式
Axial
工作电源电压
3.8 V
工作电压
42.6 V
极性
双向
通道数量
1 Channel
电源线保护
无
电压 - 击穿
53.2V
功率 - 脉冲峰值
500W
峰值脉冲电流(10/1000μs)
6.5A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
77V
箝位电压
77 V
电压 - 反向断态(典型值)
42.6V
产品类别
TVS 二极管
双向通道
1
电容@频率
-
频率范围
900, 1800
筛选水平
Extended
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
JANS1N6124拓展信息
Microchip Technology
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