Microchip JANS1N6169

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

C, Axial

供应商器件包装

C, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Power Dissipation (Max)

1

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Breakdown Voltage-Nom

13

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

RoHS

N

Brand

Microchip / Microsemi

Manufacturer

Microchip

Ipp - Peak Pulse Current

8.4 A

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Breakdown Voltage / V

123.5 V

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

包装

Tray

类型

Zener

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

5 uA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-XALF-W2

资历状况

不合格

工作电压

98.8 V

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

123.5V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

8.4A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

178.8V

箝位电压

178.8 V

电压 - 反向断态（典型值）

98.8V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

10.5

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

400

击穿电压-最小值

11.7

最大箝位电压

19

击穿电压-最大值

14.3

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes