Microchip JANS1N6172A

包装/外壳

6-SMD, No Lead

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

C, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Strip

厂商

Skyworks Solutions Inc.

Product Status

活跃

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.044798 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package Description

O-LALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANS1N6172A

Power Dissipation (Max)

3 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.77

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

Ultra™ Si542

包装

Tray

尺寸/尺寸

0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

电压 - 供电

1.8V ~ 3.3V

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率稳定性

±20ppm

输出量

LVDS

参考标准

MIL-19500

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

功能

Enable/Disable

基本谐振器

Crystal

最大电流源

111mA

资历状况

Qualified

极性

BIDIRECTIONAL

电流 - 电源（禁用）（最大值）

100 mA

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

171V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

6.1A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

245.7V

电压 - 反向断态（典型值）

136.8V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

136.8 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

频率-输出1

-

击穿电压-最小值

171 V

频率-输出2

-

频率-输出3

-

频率-输出4

-

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

高度

0.052 (1.33mm)