Microchip JANS1N6352D

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

B, Axial

供应商器件包装

B, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

JANS1N6352D

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

O-LALF-W2

Risk Rank

5.52

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Reference Voltage-Nom

150 V

Package

Bulk

Impedance (Max) (Zzt)

1000 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/533

容差

±1%

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

50 nA @ 114 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.4 V @ 1 A

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

150 V

最大电压允差

1%

JEDEC-95代码

DO-35

工作测试电流

0.85 mA

动态阻抗-最大值

1000 Ω