Microchip JANS1N6635D

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

E, Axial

供应商器件包装

E, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

JANS1N6635D

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

O-LALF-W2

Risk Rank

5.85

Number of Elements

1

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Reference Voltage-Nom

4.3 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Impedance (Max) (Zzt)

2 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/356

容差

±1%

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/356

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

25 µA @ 1 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5 V @ 1 A

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

5 W

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

4.3 V

最大电压允差

1%

工作测试电流

290 mA