Microchip JANS2N2219AL

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800 mA

Base Product Number

2N2219

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Number of Elements

1

操作温度

-20°C ~ 70°C

系列

SiT8208

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.106 L x 0.094 W (2.70mm x 2.40mm)

零件状态

活跃

类型

XO (Standard)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

800 mW

技术

Si

电压 - 供电

2.5V

频率

40.5MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

功能

Enable/Disable

基本谐振器

MEMS

最大电流源

33mA

极性

NPN

电流 - 电源（禁用）（最大值）

31mA

功率耗散

800 mW

功率 - 最大

800 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

800 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

75 @ 1mA, 10V

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

绝对牵引范围 (APR)

--

连续集电极电流

800

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

座位高度(最大)

0.032 (0.80mm)

辐射硬化

无

评级结果

--