JANS2N2369AUA详情
Microchip JANS2N2369AUA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
供应商器件包装
SOT-23-3
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Reel (TR)
Base Product Number
MMBZ4708
厂商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Product Status
Obsolete
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Package Description
SURFACE MOUNT PACKAGE-4
Package Style
小概要
Package Body Material
UNSPECIFIED
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
200 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JANS2N2369AUA
Turn-on Time-Max (ton)
12 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Turn-off Time-Max (toff)
18 ns
Risk Rank
5.52
操作温度
-55°C ~ 150°C
系列
-
包装
Tray
容差
±5%
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
4
参考标准
MIL-19500
JESD-30代码
R-XDSO-N4
资历状况
Qualified
配置
SINGLE
反向泄漏电流@ Vr
10 nA @ 16.7 V
功率 - 最大
350 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
22 V
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 10mA, 1V
最大集极截止电流
400nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
450mV @ 10mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
15 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
1.2 W
最小直流增益(hFE)
20
集电极-发射器电压-最大值
15 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
JANS2N2369AUA拓展信息
Microchip Technology
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