Microchip JANS2N2484

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50 mA

Base Product Number

2N2484

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

60 MHz

Manufacturer Part Number

JANS2N2484

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.22

Part Package Code

BCY

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/376

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

360 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/376

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

360 mW

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

360 mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

50 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

225 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

2nA

JEDEC-95代码

TO-18

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 100µA, 1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

0.36 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.05 A

最小直流增益（hFE）

225

连续集电极电流

50

集电极-发射器电压-最大值

60 V