Microchip JANS2N3499L

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-5

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tray

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

Base Product Number

2N3499

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

5 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

100

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

DC Current Gain hFE Max

300

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

100 V

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANS2N3499L

Turn-on Time-Max (ton)

115 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

Bipolar Transistors - BJT

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

1150 ns

Risk Rank

5.21

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/366

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

参考标准

MIL-19500/366K

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 30mA, 300mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

100 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

500 mA

集电极-发射器电压-最大值

100 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT