Microchip JANS2N3637

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

底架

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

7014-88261-2100220

Manufacturer

Murrelektronik

Transistor Polarity

PNP

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

1 A

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

175 V

Schedule B

8541290080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

175 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3637

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Turn-on Time-Max (ton)

200 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

SEMICOA CORP

Turn-off Time-Max (toff)

650 ns

Risk Rank

5.17

Part Package Code

TO-39

包装

Tray

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/357

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

1 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/357H

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

Single

功率耗散

5

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

600 mV

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

最大集极截止电流

10µA

JEDEC-95代码

TO-39

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

175 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

175 V

最大耗散功率(Abs)

1 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

60

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

175 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无