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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1255.029445
10
¥1183.99004
100
¥1116.971736
500
¥1053.746919
1000
¥994.100867
JANS2N3737UB详情
Microchip JANS2N3737UB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
供应商器件包装
UB
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
JANS2N3737UB
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Package Code
SOT
Package Description
SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Risk Rank
7.98
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Turn-off Time-Max (toff)
60 ns
Turn-on Time-Max (ton)
48 ns
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
1.5 A
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500/395
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
参考标准
MIL-19500/395
JESD-30代码
R-CDSO-N3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
500 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 1A, 1.5V
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
900mV @ 100mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
40 V
频率转换
-
集电极电流-最大值(IC)
1.5 A
最小直流增益(hFE)
20
集电极-发射器电压-最大值
40 V
JANS2N3737UB拓展信息
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip
Microchip
Microchip







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