Microchip JANS2N5666

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-5

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Base Product Number

2N5666

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANS2N5666

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.45

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

SiT8209

包装

Tape & Reel (TR)

尺寸/尺寸

0.197 L x 0.126 W (5.00mm x 3.20mm)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

XO (Standard)

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

电压 - 供电

2.5V

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

133.333333MHz

频率稳定性

±10ppm

输出量

LVCMOS, LVTTL

参考标准

MIL-19500/455E

JESD-30代码

O-MBFM-P2

功能

Enable/Disable

基本谐振器

MEMS

最大电流源

36mA

资历状况

Qualified

电流 - 电源（禁用）（最大值）

31mA

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.2 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1A, 5V

最大集极截止电流

200nA

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 1A, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

200 V

频率转换

-

绝对牵引范围 (APR)

--

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

40

连续集电极电流

5

集电极-发射器电压-最大值

200 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

座位高度(最大)

0.032 (0.80mm)

评级结果

--