Microchip JANS2N5666U3

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

3-SMD, Flat Lead

供应商器件包装

U3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANS2N5666U3

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

CHIP CARRIER, R-CBCC-N3

Risk Rank

5.32

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

CHIP CARRIER

Time

未说明

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

Base Product Number

2N5666

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/455

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/455E

JESD-30代码

R-CBCC-N3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

1.5 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1A, 5V

最大集极截止电流

200nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 1A, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

200 V

频率转换

-

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

200 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT