Microchip JANS2N6987

安装类型

通孔

包装/外壳

14-DIP (0.300, 7.62mm)

供应商器件包装

TO-116

材料

Aluminum

Manufacturer Part Number

EL-H830-7.5-H-20

Manufacturer

Grove Gear

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Base Product Number

2N6987

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

1.5 W

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

50

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.6 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

600 mA

DC Current Gain hFE Max

450

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Package Description

,

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VPT组件

Risk Rank

5.72

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/558

包装

Tray

子类别

Transistors

技术

Si

Reach合规守则

unknown

配置

Quad

输入类型

Solid Shaft

功率 - 最大

1.5W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

4 PNP (Quad)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT