Microchip JANS2N6989

安装类型

通孔

包装/外壳

14-DIP (0.300, 7.62mm)

供应商器件包装

TO-116

Manufacturer

Amphenol

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800mA

Base Product Number

2N6989

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

1.5 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

800 mA

DC Current Gain hFE Max

325

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

Package Description

,

Manufacturer Part Number

JANS2N6989

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

VPT组件

Risk Rank

5.71

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/559

包装

Tray

子类别

Transistors

技术

Si

Reach合规守则

unknown

配置

Quad

功率 - 最大

1.5W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

4 NPN (Quad)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT