Microchip JANS2N7372

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-CLCC

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

6-CLCC (7x5)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

5 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANS2N7372

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.68

操作温度

-40°C ~ 85°C

系列

FemtoClock® NG

包装

Tray

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

类型

VCXO

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

4 W

电压 - 供电

2.375 V ~ 2.625 V

端子位置

SINGLE

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

150MHz

基本部件号

IDT8N4SV75FC

参考标准

MIL

JESD-30代码

S-MSFM-P3

资历状况

Qualified

极性

PNP

配置

SINGLE

功率耗散

4 W

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

4 W

电流源

136mA

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

5 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 2.5A, 5V

最大集极截止电流

50µA

JEDEC-95代码

TO-254AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.5V @ 500mA, 5A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

发射极基极电压 (VEBO)

5.5 V

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

80 V

计数

--

辐射硬化

无