Microchip JANSR2N3637UB

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

供应商器件包装

UB

终端数量

3

Manufacturer Part Number

JANSR2N3637UB

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3

Risk Rank

5.49

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transistor Polarity

PNP

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/357

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XDSO-N3

资历状况

Qualified

配置

Single

功率耗散

1.5

功率 - 最大

1.5 W

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 10mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

175 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

1 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

100

连续集电极电流

1