Microchip JANTX1N5612

安装类型

通孔

包装/外壳

G, Axial

表面安装

NO

供应商器件包装

G, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Bulk

厂商

PEI-Genesis

Product Status

活跃

Base Product Number

1N5612

Package Description

O-XALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

JANTX1N5612

Power Dissipation (Max)

3 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2.06

系列

*

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/434C

JESD-30代码

O-XALF-W2

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

54V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

19A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

78.5V

电压 - 反向断态（典型值）

49V

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

49 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

54 V