Microchip JANTX1N5630A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

DO-13-2

底架

通孔

安装类型

通孔

引脚数

2

供应商器件包装

DO-13 (DO-202AA)

Cd - Diode Capacitance

-

Breakdown Voltage / V

7.13 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.052911 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

132 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Schedule B

8541100080, 8541100080/8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080/8541100080

Reverse Stand-off Voltage

6.4 V

Number of Elements

1

Product Status

活跃

厂商

微芯片技术

Base Product Number

1N5630

Package

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/500

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

类型

Zener

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

终端样式

Axial

工作电压

6.4 V

极性

单向

通道数量

1 Channel

泄漏电流

500 µA

元素配置

Single

电源线保护

无

电压 - 击穿

7.13V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

132A

最大反向漏电电流

500 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

11.3V

箝位电压

11.3 V

电压 - 反向断态（典型值）

6.4V

峰值脉冲电流

132 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

测试电流

10 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

-

反向击穿电压

7.13 V

最小击穿电压

7.13 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

辐射硬化

有