Microchip JANTX1N5646A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

DO-13-2

底架

通孔

安装类型

通孔

引脚数

2

供应商器件包装

DO-13 (DO-202AA)

Risk Rank

5.74

Ihs Manufacturer

SENSITRON SEMICONDUCTOR

Part Life Cycle Code

活跃

Manufacturer Part Number

JANTX1N5646A

Package Type

DO-13

Operating Temp Range

-65C to 175C

Reverse Stand-off Voltage

30.8(V)

Peak Pulse Power Dissipation

1500(W)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Test Current (It)

1(mA)

Mounting

通孔

Cd - Diode Capacitance

-

Breakdown Voltage / V

34.2 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.052911 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

30 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package

Bulk

Base Product Number

1N5646

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bag

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/500

类型

Zener

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

终端样式

Axial

资历状况

Qualified

工作电压

30.8 V

极性

Uni-Directional

通道数量

1 Channel

泄漏电流

5 µA

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

34.2V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

30A

最大反向漏电电流

5 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

49.9V

箝位电压

49.9(V)

电压 - 反向断态（典型值）

30.8V

峰值脉冲电流

30(A)

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

-

反向击穿电压

34.2(V)

最大泄漏电流

0.005(uA)

最小击穿电压

34.2 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

辐射硬化

无