Microchip JANTX1N5647A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-13

底架

通孔

引脚数

2

供应商器件包装

DO-13 (DO-202AA)

Package

Bulk

Base Product Number

1N5647

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Cd - Diode Capacitance

-

Breakdown Voltage / V

37.1 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.052911 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

28 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Schedule B

8541100080, 8541100080/8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080/8541100080

Reverse Stand-off Voltage

33.3 V

Number of Elements

1

Manufacturer Part Number

JANTX1N5647A

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SENSITRON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.73

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/500

类型

Zener

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

Reach合规守则

compliant

终端样式

Axial

资历状况

Qualified

工作电压

33.3 V

极性

单向

通道数量

1 Channel

泄漏电流

5 µA

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

37.1V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

28A

最大反向漏电电流

5 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

53.9V

箝位电压

53.9 V

电压 - 反向断态（典型值）

33.3V

峰值脉冲电流

28 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

-

反向击穿电压

37.1 V

最小击穿电压

37.1 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes