Microchip JANTX1N5649A

包装/外壳

DO-13-2

安装类型

通孔

供应商器件包装

DO-13 (DO-202AA)

Cd - Diode Capacitance

-

Breakdown Voltage / V

44.7 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.052911 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

23.2 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package

Bulk

Base Product Number

1N5649

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Manufacturer Part Number

JANTX1N5649A

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SENSITRON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

2.15

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/500

类型

Zener

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

Reach合规守则

compliant

终端样式

Axial

资历状况

Qualified

工作电压

40.2 V

极性

单向

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

电源线保护

无

电压 - 击穿

44.7V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

23.2A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

64.8V

箝位电压

64.8 V

电压 - 反向断态（典型值）

40.2V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

-

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes