Microchip JANTX1N6144A

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

G, Axial

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

C, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Reverse Stand-off Voltage

9.1 V

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.044798 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package

Bulk

Base Product Number

1N6144

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

JANTX1N6144A

Power Dissipation (Max)

5 W

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMTECH CORP

Breakdown Voltage-Nom

12 V

Risk Rank

5.4

包装

Bulk

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/516

ECCN 代码

EAR99

温度系数

100 ppm/K

类型

Zener

电阻

33 kOhm

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Zener

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

额定功率

0.125 W

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

电阻器类型

通用型

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/516

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

Qualified

极性

双向

配置

SINGLE

泄漏电流

20 µA

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

11.4V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

88.8A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

16.9V

箝位电压

16.9 V

电压 - 反向断态（典型值）

9.1V

峰值脉冲电流

88.8 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

双向

测试电流

100 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

9.1 V

电容@频率

-

反向击穿电压

11.4 V

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

电阻公差

1

击穿电压-最小值

11.4 V

双向通道数

1

最大箝位电压

16.9 V

最小击穿电压

11.4 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

产品长度

2

产品宽度

1.25