Microchip JANTX1N6153US

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, C

表面安装

YES

引脚数

2

供应商器件包装

C, SQ-MELF

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Bulk

Base Product Number

CIR00

厂商

ITT Cannon, LLC

Product Status

活跃

Reverse Stand-off Voltage

22.8 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Breakdown Voltage / V

28.5 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

36 A

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

Package Description

O-XELF-N2

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Part Number

JANTX1N6153US

Power Dissipation (Max)

7.5 W

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMTECH CORP

Risk Rank

5.36

系列

*

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

包装

Bulk

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

ZENER

端子位置

END

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

5 uA

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/516

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

O-XELF-N2

资历状况

Qualified

工作电压

22.8 V

极性

双向

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

泄漏电流

5 µA

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

28.5V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

36A

最大反向漏电电流

5 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

41.6V

箝位电压

41.6 V

电压 - 反向断态（典型值）

22.8V

峰值脉冲电流

36 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

双向

测试电流

40 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

22.8 V

电容@频率

-

反向击穿电压

28.5 V

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

27 V

最大箝位电压

43.6 V

最小击穿电压

28.5 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

辐射硬化

无