JANTX1N6156US详情
Microchip JANTX1N6156US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
Surface Mount, MLCC
包装/外壳
0603 (1608 Metric)
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
2
供应商器件包装
C, SQ-MELF
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Tape & Reel (TR)
厂商
Vishay Vitramon
Product Status
Obsolete
Voltage Rated
50V
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Unit Weight
0.019013 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Reverse Stand-off Voltage
29.7 V
Base Product Number
1N6156
Risk Rank
5.36
Ihs Manufacturer
SEMTECH CORP
Part Life Cycle Code
活跃
Number of Elements
1
Package Shape
ROUND
Power Dissipation (Max)
7.5 W
Manufacturer Part Number
JANTX1N6156US
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Style
长式
Package Description
O-XELF-N2
操作温度
-55°C ~ 150°C
系列
VJ高Q
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.063 L x 0.031 W (1.60mm x 0.80mm)
容差
±5%
ECCN 代码
EAR99
温度系数
C0G, NP0
类型
Zener
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
应用
RF, Microwave, High Frequency
HTS代码
8541.10.00.50
电容量
10 pF
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
ZENER
端子位置
END
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/516
终端样式
SMD/SMT
JESD-30代码
O-XELF-N2
资历状况
Qualified
失败率
-
极性
UNIDIRECTIONAL
引线间距
-
配置
SINGLE
元素配置
Single
二极管类型
跨压抑制二极管
引线样式
-
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
无
电压 - 击穿
35.25V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
26.6A
最大反向漏电电流
5 µA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
56.28V
箝位电压
53.6 V
电压 - 反向断态(典型值)
29.7V
峰值脉冲电流
28 A
峰值脉冲功率
1.5 kW
方向
双向
测试电流
30 mA
产品类别
TVS 二极管
双向通道
1
Rep Pk反向电压-最大值
29.7 V
电容@频率
-
最大非代表峰值转速功率Dis
1500 W
击穿电压-最小值
35.1 V
最大箝位电压
56.2 V
最小击穿电压
37.1 V
特征
High Q, Low Loss
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
座位高度(最大)
-
厚度(最大)
0.036 (0.92mm)
辐射硬化
无
评级结果
-
JANTX1N6156US拓展信息
Microchip Technology
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