Microchip JANTX1N6317US

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

YES

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

底架

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

DO-35

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

JANTX1N6317US

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

O-XELF-R2

Risk Rank

1.63

Number of Elements

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Reference Voltage-Nom

5.1 V

Package

Bulk

Base Product Number

1N6317

Impedance (Max) (Zzt)

14 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Ir - Reverse Current

5 uA

Zz - Zener Impedance

14 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

5 uA

Pd - Power Dissipation

0.5 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.003333 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Brand

Microchip / Microsemi

Vz - Zener Voltage

5.1 V

RoHS

N

Voltage Temperature Coefficient

- 0.02 %/C, 0.035 %/C

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

Military, MIL-PRF-19500/533

包装

Bulk

容差

±5%

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

最大功率耗散

500 mW

端子位置

END

终端形式

环绕

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/533F

JESD-30代码

O-XELF-R2

资历状况

Qualified

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

5 µA @ 2 V

功率耗散

500

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.4 V @ 1 A

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

最大反向漏电电流

5 µA

测试电流

20 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

5.1 V

齐纳电压

5.1 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

工作测试电流

20 mA

电压允差

5 %

齐纳电流

83 mA

Vf-正向电压

1.4 V

产品类别

齐纳二极管

宽度

2.16 mm

高度

2.16 mm

长度

4.95 mm

辐射硬化

无