Microchip Jantx2N1890S

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

JHSN_DRIV_VSD-T12

Manufacturer Part Number

VS020522C-NP300

Manufacturer

Johnson Controls

Mounting

Panel

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541210080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

60 MHz

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.19

Part Package Code

TO-5

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/225

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

800 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

深度

16.28125

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/225F

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

800 mW

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

800 mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

500 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10nA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

5V @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

最高频率

320 Hz

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

最大耗散功率(Abs)

0.8 W

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

集电极电流-最大值(IC)

0.5 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

60 V

输入电压(交流电)

575 VAC

宽度

16.9375

辐射硬化

无