Microchip JANTX2N1893

包装/外壳

TO-5-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-5

Transistor Polarity

NPN

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

800 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40 at 150mA, 10 VDC

Collector-Emitter Saturation Voltage

5 V

Unit Weight

0.184026 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

500 mA

DC Current Gain hFE Max

120 at 150 mA, 10 VDC

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

500 mA

Base Product Number

2N1893

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/182

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

800 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

5V @ 15mA, 150mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

120 V

连续集电极电流

500

产品类别

Bipolar Transistors - BJT