Microchip JANTX2N2060

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-78-6 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-78-6

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

240787-100006

Manufacturer

Pepperl Fuchs

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

500mA

Base Product Number

2N2060

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

600 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

50

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Unit Weight

0.071645 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

500 mA

DC Current Gain hFE Max

150

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RAYTHEON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.22

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/270

包装

Bulk

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

参考标准

MIL

JESD-30代码

O-MBCY-W8

资历状况

不合格

配置

Dual

功率 - 最大

600mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

2 NPN (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-77

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

连续集电极电流

500 mA

产品类别

Bipolar Transistors - BJT