Microchip JANTX2N2484

包装/外壳

TO-18-3

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-18

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer

ABB

Transistor Polarity

NPN

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

360 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

200 at 10 uA, 5 VDC

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

50 mA

DC Current Gain hFE Max

500 at 10 uA, 5 VDC

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60 V

Number of Elements

1

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

50 mA

Base Product Number

2N2484

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

60 MHz

Manufacturer Part Number

JANTX2N2484

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.01

Part Package Code

BCY

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/376

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

最大功率耗散

360 mW

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/376

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

Single

功率耗散

1.2

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

360 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

60 V

最大集电极电流

50 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

225 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

2nA

JEDEC-95代码

TO-206AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 100µA, 1mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

0.05 A

最小直流增益（hFE）

225

连续集电极电流

50

集电极-发射器电压-最大值

60 V

VCEsat-最大值

0.3 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无

无铅

含铅