Microchip JANTX2N2945A

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AB, TO-46-3 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-46-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

MREBC20AC2

Manufacturer

GE - General Electric

Transistor Polarity

PNP

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

Base Product Number

2N2945

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

25 V

Pd - Power Dissipation

400 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

10

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

100 mA

DC Current Gain hFE Max

55

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

20 V

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

10 MHz

Turn-on Time-Max (ton)

150 ns

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

450 ns

Risk Rank

1.13

Part Package Code

BCY

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/382

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/382E

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

配置

Single

功率耗散

400

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

400 mW

晶体管应用

CHOPPER

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 1mA, 500mV

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-206AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

-

电压 - 集射极击穿（最大值）

20 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

25 V

最大耗散功率(Abs)

0.4 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

70

连续集电极电流

100

集电极-发射器电压-最大值

20 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT