Microchip JANTX2N3019

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

工厂交货时间

22 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3019

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

JANTX2N3019

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Semicoa Semiconductors

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

SEMICOA CORP

Risk Rank

3.87

Part Package Code

TO-5

Emitter- Base Voltage VEBO

7 V

Pd - Power Dissipation

800 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

200 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Maximum DC Collector Current

1 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/391

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

800 mW

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/391

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

5

功率 - 最大

800 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 500mA, 10V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-5

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

140 V

最大耗散功率(Abs)

0.8 W

发射极基极电压 (VEBO)

7 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

15

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

80 V

辐射硬化

无

无铅

含铅