Microchip JANTX2N3439UA

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

表面安装

YES

供应商器件包装

UA

房屋材料

Aluminum

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Outlets

(1) 120V Receptacle

Manufacturer Part Number

P-G2Q15-H3R0

Manufacturer

Grace Technologies

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

Microchip / Microsemi

RoHS

N

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

Base Product Number

2N3439

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-XDSO-N4

Package Style

小概要

Package Body Material

UNSPECIFIED

Turn-on Time-Max (ton)

1000 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NEW ENGLAND SEMICONDUCTOR

Turn-off Time-Max (toff)

10000 ns

Risk Rank

5.06

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/368

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

参考标准

MIL-19500/368F

JESD-30代码

R-XDSO-N4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

800 mW

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

最大集极截止电流

2µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 4mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

350 V

频率转换

-

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

350 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

知识产权评级

IP65