Microchip JANTX2N3637

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

包装/外壳

TO-39-3

安装类型

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-5

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANTX2N3637

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

BCY

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Risk Rank

1.44

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Turn-off Time-Max (toff)

650 ns

Turn-on Time-Max (ton)

200 ns

Transistor Polarity

PNP

Emitter-Base Voltage

5(V)

Package Type

TO-39

Collector-Base Voltage

175(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

1(A)

DC Current Gain

55

Mounting

通孔

Schedule B

8541290080

RoHS

Compliant

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

300 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

1 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

175 V

Package

Bulk

Product Status

活跃

厂商

微芯片技术

Base Product Number

2N3637

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

包装

Bag

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/357

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

1 W

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

参考标准

MIL-19500/357H

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

Qualified

极性

PNP

配置

SINGLE

功率耗散

5

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

175 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V

最大集极截止电流

10µA

JEDEC-95代码

TO-39

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

600mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

175 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

175 V

最大耗散功率(Abs)

1 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

60

连续集电极电流

1

集电极-发射器电压-最大值

175 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无

无铅

含铅