注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥152.922785
10
¥144.26678
100
¥136.100738
500
¥128.396917
1000
¥121.129169
JANTX2N3741详情
Microchip JANTX2N3741重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
底架
通孔
引脚数
3
供应商器件包装
TO-66 (TO-213AA)
Transistor Polarity
PNP
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
4 A
Base Product Number
2N3741
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Number of Elements
1
RoHS
Non-Compliant
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Pd - Power Dissipation
25 W
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
30 at 250 mA, 1 VDC
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
-
Maximum DC Collector Current
4 A
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
操作温度
-40°C ~ 85°C
系列
SiT8208
包装
Tape & Reel (TR)
尺寸/尺寸
0.276 L x 0.197 W (7.00mm x 5.00mm)
零件状态
活跃
类型
XO (Standard)
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
25 W
技术
Si
电压 - 供电
3.3V
频率
66.66MHz
频率稳定性
±10ppm
输出量
LVCMOS, LVTTL
功能
Standby (Power Down)
基本谐振器
MEMS
最大电流源
33mA
极性
PNP
电流 - 电源(禁用)(最大值)
70µA
配置
Single
功率耗散
25
功率 - 最大
25 W
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
80 V
最大集电极电流
4 A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 250mA, 1V
最大集极截止电流
10µA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 125mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
80 V
发射极基极电压 (VEBO)
7 V
绝对牵引范围 (APR)
--
连续集电极电流
4
座位高度(最大)
0.039 (1.00mm)
辐射硬化
无
评级结果
--
JANTX2N3741拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology







哦! 它是空的。