Microchip JANTX2N3767

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-213AA, TO-66-2

供应商器件包装

TO-66 (TO-213AA)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANTX2N3767

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-66

Package Description

TO-66, 2 PIN

Risk Rank

1.63

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

10 MHz

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

4 A

Base Product Number

2N3767

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

25 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Maximum DC Collector Current

4 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

操作温度

-65°C ~ 200°C

系列

MIL-PRF-19500/518

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

参考标准

MIL-19500/518C

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

25 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V

最大集极截止电流

500µA

JEDEC-95代码

TO-213AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 100mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

集电极电流-最大值(IC)

4 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

80 V