Microchip JANTX2N4150

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-5

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

10 A

Base Product Number

2N4150

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

10 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

50 at 1 A, 5 VDC

Collector-Emitter Saturation Voltage

600 mV

Unit Weight

0.242420 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip / Microsemi

Maximum DC Collector Current

10 A

DC Current Gain hFE Max

200 at 1 A, 5 VDC

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

70 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/394

包装

Bulk

温度系数

200 ppm/°C

电阻

270 kOhm

子类别

Transistors

额定功率

0.125 W

技术

Si

电阻器类型

通用型

配置

Single

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 5A, 5V

最大集极截止电流

10µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 1A, 10A

电压 - 集射极击穿（最大值）

70 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

100 V

电阻公差

1

连续集电极电流

10

产品类别

Bipolar Transistors - BJT