Microchip JANTX2N4261

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-72-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-72

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

JANTX2N4261

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-72

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W4

Risk Rank

1.49

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

2000 MHz

Transistor Polarity

PNP

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

30 mA

Base Product Number

2N4261

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

Military, MIL-PRF-19500/511

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

参考标准

MIL-19500/511

JESD-30代码

O-MBCY-W4

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

功率耗散

200

功率 - 最大

200 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 10mA, 1V

最大集极截止电流

10µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-72

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

350mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

15 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

集电极电流-最大值(IC)

0.03 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

30

集电极-发射器电压-最大值

15 V

集电极-基极电容-最大值

2.5 pF