Jantx2N5152L详情
Microchip Jantx2N5152L重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Axial
安装类型
通孔
表面安装
NO
供应商器件包装
Axial
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Base Product Number
RLR07
厂商
Vishay Dale
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip / Microsemi
RoHS
N
Current-Collector (Ic) (Max)
2 A
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
JANTX2N5152L
Package Shape
ROUND
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.35
操作温度
-65°C ~ 150°C
系列
Military, MIL-PRF-39017/01, RLR07
包装
Bulk
尺寸/尺寸
0.090 Dia x 0.250 L (2.29mm x 6.35mm)
容差
±2%
JESD-609代码
e0
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±100ppm/°C
电阻
511 Ohms
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
组成
Metal Film
功率(瓦特)
0.25W, 1/4W
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
Transistors
技术
Si
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
compliant
参考标准
MIL
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
Qualified
失败率
P (0.1%)
功率 - 最大
1 W
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 2.5A, 5V
最大集极截止电流
50µA
JEDEC-95代码
TO-5
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 500mA, 5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
80 V
频率转换
-
集电极电流-最大值(IC)
2 A
最小直流增益(hFE)
30
集电极-发射器电压-最大值
80 V
特征
Military, Moisture Resistant, Weldable
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
座位高度(最大)
-
Jantx2N5152L拓展信息
Microchip Technology
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